封装市场常被忽视的一环！

  半导体工程一直存在三大支柱：光刻、晶体管设计和材料，现在，封装已成为第四大支柱。大多数半导体器件都封装在陶瓷、金属或塑料中，以防止损坏芯片及其脆弱的连接线。尽管有这个重要的功能，但封装是半导体设计中最被忽视的方面之一。但随着摩尔定律逐渐走到极限，封装现在已成为代工厂、OSAT、以及芯片设计厂商都竞相关注的一环，其在宏观层面影响功耗、性能和成本，在微观层面影响所有芯片的基本功能。

  自1965年第一个半导体封装发明以来，半导体封装技术快速的提升，现在已演化出数千种不同的半导体封装类型。半导体封装的作用常规来说，主要有三个，一是防止损坏芯片和连接线；二是实现了硅芯片和PCB之间的电气连接；三是散热。而驱动半导体封装不断演进的驱动力主要有两个，一个是解决高引脚数，再一个是满足小尺寸要求。

  接下来，让我们详细来看下半导体封装的发展历史。1965年，Fairchild 的三位工程师：Don Forbes、Rex Rice和Bryant Rogers发明了一种带有两排引脚的14引脚陶瓷双列直插式封装 (DIP)，这是第一个真正的半导体封装。DIP封装于70年代初开始批量生产。英特尔的8008是最早的微处理器之一，也是标志性的DIP封装类半导体。

  到80年代，芯片开始变大，集成了更多的功能，引入了具有100万个门的芯片。芯片上数据的输入和输出 (IO) 是计算的命脉。未解决持续不断的增加的IO数量，半导体封装引入PGA (Pin Grid Array) 和BGA (Ball Grid Array) 封装。下图是球栅阵列的样子，它可以从下方直接将一块硅安装到 PCB 或基板上，而不是像以前的表面贴装技术那样只在所有4个端部的角上贴上胶带。BGA封装的好处是占用更少的空间和更多的连接作用。

  而到90年代，笔记本电脑和手机等移动电子设备的兴起，使得半导体封装逐渐开始朝着小型化发展，于是又引入了CSP（芯片级封装）来解决高引脚数和小尺寸要求。CSP封装本质上是具有较小球间距的小尺寸 BGA。

  后来进入到2010年，逐渐来到先进封装时代，出现了慢慢的变多的封装类型，发展为SiP、POP、WLP，以及2.5D和3D封装等。现在5G、可穿戴等应用的兴起，以及电子设备小尺寸化的需求愈发旺盛，行业预测SiP等先进封装正在慢慢的变成为产业界的主流。

  在2.5D和3D封装这方面，台积电、三星和英特尔是走在前列的。台积电的CoWoS是2.5D集成的代表，SoIC是3D封装的代表。三星近年来也成为多家芯片设计厂商的代工合作伙伴，X-Cube是其3D封装方案，近日，三星正式对外发布了新一代2.5D封装技术“I-Cube4”。最后但同样重要的是英特尔的 Foveros 3D 封装，英特尔明确表明封装是其未来的重点，英特尔CEO Pat Gelsinger指出，芯片封装以及尖端的生产方法将有利于芯片行业保持甚至超越摩尔定律在未来十年的发展速度。

  封装属于半导体供应链的后端，其关键衡量指标往往是价格和耐用性。过去没有一家封装公司被认为像传统的前端制造（即晶圆制造和晶圆分类）工艺那样重要。因为相对来说，后端操作所需的时间和支出要少得多，封装的产能扩充比较快，大家并没意识到其出现会卡供应链的情况。

  但现在，随着摩尔定律走到极限，芯片设计企业慢慢的变多，对芯片的种类和性能要求愈发加大，封装现在在各个层面都必不可少，而且随着复杂性和盈利能力的提高，封装成为包括芯片设计厂商、IDM、代工厂、OSAT都关心的一个重要环节。

  台积电在先进封装上的布局已有多年，而且对封装上的投入，也让其在早期尝到了甜头，凭借全新封装技术InFO，台积电拿下了苹果处理器订单。台积电目前在竹科、南科、中科及龙潭有先进封测厂区，主要提供晶圆凸块、先进测试与3D封装等业务，还有正在兴建的第5座竹南厂，预计2022年下半年量产。近日，据中时新闻网的报道，台积电或再建先进封装工厂，目前传出可能在云嘉地区选址，其中嘉义最有机会胜出。

  三星这几年一直跟台积电你追我赶，在先进封装领域更是如此。2021年11月，三星与安靠共同开发了新2.5D封装解决方案H-Cube（Hybrid Substrate Cube，混合基板封装），专用于需要高性能和大面积封装技术的高性能计算（HPC）、人工智能（AI）、数据中心和网络产品等领域。2021年12月，三星批准花费8.5亿美元（1.1万亿韩元）用于在越南生产倒装芯片球栅阵列（FC-BGA）的设备和基础设施。

  英特尔将封装看做是产品革新的催化剂，作为处理器和主板之间的物理接口，芯片的封装对产品级性能有着至关重要的作用。英特尔的“Lakefield”处理器就是将混合型CPU与他们的Foveros 3D封装技术结合在一起。2021年12月16日英特尔宣布，今后十年间将在马来西亚投资300亿林吉特（约合453.5亿元人民币），新建最先进的封装制造设备。

  内存厂商SK海力士也在通过增强传统封装、TSV和FO-WLP领域的封装竞争力来提高内存解决方案的价值。SK海力士一名PL曾表示，“封装技术对于高性能设备的正常运行很重要。例如，要同时发送和接收大量数据，就需要形成无数条与外部相连的电通路，而起到这个作用的就是封装过程。封装技术将多个芯片堆叠，实现比传统芯片4倍、16倍甚至更多的容量，或将多种类型的芯片组合成一个系统。换句话说，依赖封装技术，产品的附加值可以大幅度增加。现在，如果没有封装技术的进步，单靠芯片技术没办法占据未来的市场主导地位。”

  国内的长电科技、通富微电以及天水华天都已经在先进封装上进行了布局，不止是传统的封装厂，更有一些芯片厂商和新崛起的封装新势力正在向先进封装迈进。

  深圳同兴达子公司昆山同兴达，于2021年10月15日，与昆山日月光签署协议合作“芯片先进封测（Gold Bump）全流程封装测试项目”。先进封装技术在显示驱动IC及CIS芯片中有着及其重要的作用。中国大陆Gold Bump封测产能较少，尤其直接面对显示驱动IC及CIS芯片的Gold Bump封测产能更是稀缺。

  SiP封装也是国内很多企业在发力的一大方向。根据Yole预测，2025年先进封装的占比将提升至整体封测行业的49.4%，其中SiP封装被市场看好，在2020年到2026年年间，基于覆晶(FC)和打线接合(WB)的SiP市场将以5%的CAGR成长至170 亿美元的规模。同期，嵌入式芯片(Embedded Die，ED) SiP市场则将以25%的CAGR 增加到1.89亿美元；扇出型(FO) SiP市场价值预计以6%的CAGR20-26成长至16亿美元。

  2021年12月15日，华宇电子集成电路先进封装测试产业基地项目三期开工，据其官微介绍，三期项目总投资10亿元，总建筑面积4.50万平方米，封装技术向SiP系统级3D封装技术及LGA、BGA先进封装技术升级，预计2022年实现投产。

  再就是正在SiP快封领域探索的摩尔精英，据了解，摩尔精英无锡SiP封测中心，一期总投资5亿元，建筑面积1.5万平。该厂的年规划产能超过1亿颗，产品有：FCBGA工程批、SiP设计和工程批、SiP量产和测试。据悉，2022年无锡SiP封测中心可生产FC+WB技术的复杂SiP产品，同时也可生产FC及WB标准产品。到2023年可生产FC+WB+SMT的产品。2024年，无锡SiP封测中心的目标是开发AiP技术，以及进行电磁隔离技术的SiP设计和生产。

  华为也看好封装这一环节，旗下华为哈勃投资了多家封装领域的厂商。不仅如此，2021年12月28日，华为还注册6亿元成立华为精密制造有限公司，发力封装环节。有华为内部的人说，“我们不生产芯片，主体业务是华为无线、数字能源等产品的部分核心器件、模组、部件的精密制造，包括组装与封测。营业范围中提及的‘半导体分立器件’主要是分立器件的封装、测试。”

  国内还有很多新的封装项目正如雨后春笋般崛起，例如在2022年1月12日，宁夏储芯集成电路产业研发项目正式投产，2条微组装生产线条多芯片封装线也正式投产运行。据悉，该项目总投资4亿块钱，占地面积50亩，目前投资2亿元实施一期工程。一期工程将建设3条表面贴装(SMT)生产线条集成电路封装生产线，主要生产无线热点过滤模块、射频前端模块、集成射频开关和滤波器以及4K超短距LED投影仪，产品主要使用在于智能手机、平板电脑和车载存储。

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  波特率设置好后，为什么用其它波特率也能收到信号呢？当然这样收到的信号不一定正确。波特率问题接收方看到下跳沿开始按波特率规定的时间位置接收数据，若与发送方波特率设置不一样，只是读错位置而已，当然读得的数据也是错的。那是自然串口靠逻辑0为起始位，采样周期中只要0的维持的时间够长即进入接收态，也就是说只要接收方波特率设置的起始位宽小于等于实际信号的前沿低电平宽度就可以收到“数据”了。

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  电子产品制造商可在整个产品研究开发、制造和产品生命周期流程一开始就实现集成并从始至终保持联通，但要实现这点，单凭PDM系统还不够。他们还需要在进行多领域产品研究开发时，将成本、可靠性和可制造性等因素纳入考量。协同式工程工具可确保企业中人人都能够轻松访问和查看，打破其间的职能孤岛，使其相互连通，这样便能掌控产品数据和流程。产品生命周期管理可使产品开发团队能够与整个产品生态系统中的所有利益相关方协同合作。此外，集成式工具和流程还可解决重大挑战，使质量节节攀升，让可持续发展的产品更快面世。前往观看

  大家好！用的是OSRAM的3030光源，输出功率要求是150W，输出电流是0.6A，怎么选用电源呢？实际使用的电源功率要比要求的大多少才工作稳定？输出电压和输出电流？谢谢如果选用700mA的这款，合适吗？怎么选用LED的恒流电源你只给出型号，并没有给出负载和电源详细规格参数以及其它资料，谁能知道合适不合适？不合适，光源是0.6A的，用0.7A的驱动电源，对光源不好不应该这样选应该从知道光源的正向电压范围上考虑，然后再选择比电流稍微小一些的驱动路过，看看

  我现在在evc下写一个读写ini文件的程序，现在写文件时，数字和字母没问题，但是写入汉字时就乱码，以下是我的代码，麻烦各位大侠帮我看一下，谢谢各位了！或者哪位大哥给我一个现成的代码也行，很谢谢！BOOLCDlgPortSet::WriteProfilePraviteString(constCStringstrSection,constCStringstrEntry,constCStringstrValue,constCStringstrIniP

  雷达应用接收的数据量比较大，因此就需要用到DMA来提高速度，降低MCU负载。之前的项目已经在STM32F103芯片上使用了DMA+IDLE中断的方式实现了不定长的UART数据接收，这里也想在GD32L233C实现。GD32L233C-START开发板配套的例程GD32L233K_START_Demo_Suites只有6个例程。关于UART接口的只有04_USART_HyperTerminal_Interrupt这一个例程。也不是我想要的DMA。但是我看到GD32