2024年ic先进封装市场行情分析与趋势预测

  受性能驱动和成本驱动影响，封装技术路径大致可分 为***个阶段：第一阶段为上世纪 **年代以前，封装的主体技术是针脚插装；第二阶段是从 上世纪 **年代中期开始，表面贴装技术成为最热门的组装技术，改变了传统的 PTH 插装形 式，通过微细的引线将集成电路芯片贴装到基板上，大幅度的提升了集成电路的特性，而且自动 化程度也得到了很大的提高；第三阶段为上世纪 **年代，随着器件封装尺寸的进一步小型化，出现了许多新的封装技术和封装形式，其中最有代表性的技术有球栅阵列、倒装芯片 和多芯片组件等，这些新技术大多采用了面阵引脚，封装密度大为提高，在此基础上，还出 现了芯片规模封装和芯片直接倒装贴装技术。第四代封装技术以 SiP、WLP 和 TSV 为代表， 在凸点技术和通孔技术的基础上，进一步提升系统的集成度与性能。

  自 **年“摩尔定律”提出以来，微电子 器件的密度几乎沿着“摩尔定律”的预言发展。截至**，芯片特征尺寸 14nm 已经实现量产，10nm 正在进行试产，7nm 尚属研发阶段，已接近物理极限，再想通过降低特征尺寸来提高 电路密度不仅会大幅度提高成本，还会降低电路的可靠性。为了更好的提高电路密度，延续或超越“摩 尔定律”，籍由先进封装技术成为必然。

  产业调研网发布的中国ic先进封装市场调查与研究发展的新趋势预测报告（2024年）认为，SiP 技术将系统或子系统的全部或大部分电子功能配置在 整合型基板内，即将原来的***个封装层次（一级芯片封装、二级插板/插卡封装、三级基板封 装）浓缩在***个封装层次内，极大地提高了封装密度和封装效率。WLP 技术直接在晶圆上 进行大多数或是全部的封装测试程序，之后再进行切割（singulation）制成单颗组件，封装 尺寸小。TSV 技术在芯片钻出通孔，从底部填充入金属， 硅晶圆上以蚀刻或激光方式钻孔， 再以导电材料如铜、多晶硅、钨等物质填满，能轻松实现三维封装，组装密度可达到 ***%-***%。

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